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真空鍍鋁膜性能指標及厚度測量方法一、鍍鋁膜厚度測量方法鍍鋁膜厚度測量一般采用下述三種方法。第一種是光密度法，以光線透過鍍鋁膜的密度來衡量。用光密度計量鍍鋁層厚度的優點是方便、準確，測量結果不易受表面氧化層的影響。光密度值與入射光波長有關。第二種是采用表面方塊電阻測量。此法簡單實用，一般鋁層厚度對應的表面電阻一般在1~2。取樣或寬1cm長，10cm的電阻值在1~20之間。鍍膜剛下卷時，鋁層表面...

鉑又稱白金，價格比黃金貴，由于它有許多優良的性質，盡管出現了各種代用品，但許多分析工作仍然離不開鉑。鉑的熔點高達1774℃，化學性質穩定，在空氣中灼燒后不起化學變化，也不吸收水分，大多數化學試劑對它無侵蝕作用，耐氫氟酸性能好，能耐熔融的堿金屬的碳酸鹽。因而常用于沉淀灼燒稱重、氫氟酸溶樣以及碳酸鹽的熔融處理。鉑坩堝適用于灼燒沉淀。鉑制小舟、鉑絲圈用于有機分析灼樣品。鉑絲、鉑片常用于電化學分析中...

說到顯示技術，大家最熟悉的可能還是LCD和LED液晶顯示屏，但若您現在再去商城采購，會發現OLED（有機發光二極管）顯示技術已經成為了新的主流。OLED技術是指有機半導體材料和發光材料在電場驅動下，通過載流子注入和復合導致發光的現象。作為一種固態自發光技術，OLED不需要以前用LCD搭配LED背光源的組合，因此可以將電視厚度做得很薄，可視角度更廣、功耗更低、色彩也更豐富，并且可以在塑料、樹脂...

用粘附性判定標準值判斷薄膜粘附性好壞的一種方法與流程本發明屬于超聲表面波無損檢測領域，涉及一種薄膜粘附性好壞的判定方法。背景技術：薄膜科學在微電子領域有著重要的應用。Low-k互連是高速超大規模集成(ULSI)電路發展中的一個重要理念，由于其可以減少互連延遲，串擾以及電路的能量損耗。在low-k薄膜的各項特性中，界面粘附性是一個非常重要的特性，它顯著地影響了互連系統的穩定性和可靠性。在薄膜的...

(一) 鉑坩堝1、鉑是一種貴重金屬，焙點約為1770度，質軟，使用時不要用手捏，以防變形。也不能用玻璃棒搗刮鉑坩堝內壁，以防損傷。也不要將紅熱的鉑坩堝放人冷水中驟冷。2、鉑坩堝的加熱和灼燒，均應在墊有石棉板或陶瓷板的電爐或電熱板上進行，或在煤氣燈的氧化焰上進行，不能與電爐絲、鐵板及還原焰接觸，因為在高溫下鐵易與鉑形成合金，還原性氣體能與鉑形成碳化鉑，使鉑坩堝變脆。濾紙如在鉑坩堝中灼烷，應在低...

一、 天平的稱量方法1、 直接稱量法：對一些在空氣中無吸濕性的試樣或試劑如金屬或合金等，可用直接法稱量。稱量時將表面皿或其他稱量容器放于秤盤中央，去皮，然后將試樣置于稱量容器中，即得到試樣的質量。2、 固定質量稱量法：分析實驗中為準確稱取某一指定質量的試樣，可用固定質量法稱量。稱量時將表面皿或其他稱量容器放于秤盤中央，去皮，然后用藥勺盛試樣（試樣一般要預先研細），在容器上方輕輕振動，使試樣徐...

石墨坩堝雖然具有體積密度高、耐高溫、傳熱快、耐酸堿腐蝕、耐高溫、耐氧化等特點，但對于單個原料的精煉來說，使用坩堝后的清洗工作非常麻煩。清潔石墨坩堝的首要任務是清除坩堝中的化學物質，然后進行清潔。我們需要根據石墨坩堝中殘留的物質來決定要清洗什么。1.一般來說，石墨坩堝上的粘合劑是無機燃燒的殘留物。我們可以用鹽酸清洗，其中大部分是可溶的，有些含碳的殘渣不能用鹽酸溶解。硝酸氧化性強，清洗時可適當加...

氮化硼陶瓷坩堝真空下使用溫度1800度，氣氛保護下使用溫度2100度。氮氣或者氬氣氣氛使用最佳，壽命最長。氮化硼坩堝抗熱震強，1500度急冷不開裂，1000度爐內保溫20分鐘取出來吹風急冷連續反復上百次不會開裂。 使用注意事項：1 空氣中使用溫度不能超過1000度，超過1000度氮化硼與氧氣接觸表面會氧化剝落。2 氮化硼易吸潮，坩堝不能存放潮濕區域，不能水洗，可直接用砂紙擦除或者用酒精擦洗。...

蒸發源是用來加熱膜材使之氣化蒸發的裝置。目前所用的蒸發源主要有電阻加熱，電子束加熱，感應加熱，電弧加熱和激光加熱等多種形式。電阻加熱式蒸發源的發熱材料一般選用W、Mo、Ta、Nb等高熔點金屬，Ni、Ni-Cr合金。把它們加工成各種合適的形狀，在其上盛裝待蒸發的膜材。一般采用大電流通過蒸發源使之發熱，對膜材直接加熱蒸發，或把膜材放入石墨及某些耐高溫的金屬氧化物（如Al2O3，BeO）等材料制成...

ITO 是Indium Tin Oxides的縮寫，即摻錫氧化銦。是透明導電氧化物TCOs的一種，由于最好的導電性和透明性的組合性能，成為最主要的透明導電材料，主要應用于液晶顯示器，觸摸屏，太陽能薄膜電池，照明用有機EL元件等領域。氧化銦，只吸收紫外光，不吸收可見光，因此達到“透明”的表現。摻錫，雖然會損失透光度，但可以提高導電能力。因此，透光度和導電性是兩個相互牽制的指標?！　TO原料，...

ITO薄膜制作過程中的影響因素 作者：陳長增

說到ITO真空鍍膜機鍍制ITO薄膜，可能大家不知道是什么東西，如果說手機屏幕上面有一層透視的觸摸屏，大家就會恍然大悟，我們現在日常使用的手機，上面都用一種ITO薄膜材料，即實現了透視的效果，也實現了觸屏的效果。近些年，手機更新換代，使用廣泛，幾乎人手一臺，ITO薄膜可以說消耗量也是巨大的。今天小編要為大家講的是ITO真空鍍膜機薄膜制作的影響因素：ITO真空鍍膜機鍍制ITO薄膜在濺鍍過程中會產...

電阻蒸發鍍：電阻蒸發源用于蒸發低熔點材料，如金、銀、硫化鋅、氟化鎂、三氧化二鉻等。電阻蒸發源一般采用鎢、鉬、鉭制作。2.電子束蒸發鍍：利用電子束加熱使膜材汽化蒸發后，凝結在基片表面成膜是真空蒸鍍技術中一種重要的加熱方法。這種裝置的種類很多。隨著薄膜技術的廣泛應用，不但對膜的種類要求繁多，而且對膜的質量要求更加嚴格。電阻蒸發鍍已不能滿足蒸鍍某些金屬和非金屬的需要。電子束熱源能獲得遠比電阻熱源更...

膜厚均勻度是衡量薄膜質量和鍍膜裝置性能的一項重要指標。為提高膜厚均勻度，可以采取優化靶基距、改變基片運動方式、增加擋板機構和膜厚監控儀等措施。對于磁控濺射鍍膜，由于其電磁場并非均勻，尤其是不均勻的磁場分布造成不均勻的等離子密度，導致靶原子的...

SiO2薄膜制備的現行方法綜述(1)時間:2009-09-06　　來源:中國計量學院質量與安全工程學院　　編輯:曾其勇　　在導電基體上制作薄膜傳感器的過程中，需要在基體與薄膜電極之間沉積一層絕緣膜。二氧化硅薄膜具有良好的絕緣性能，并且穩定性...

1、等離子體增強化學氣相沉積的主要過程         等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備...

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替傳統直流電源進行磁控濺射沉積。脈沖磁控濺射技術可以有效的抑制電弧產生進而消除由此產生的薄膜缺陷，同時可以提高濺射沉積速率，降低沉積溫度等一系列顯著優點。         脈沖可分為雙向脈沖和單向脈沖...